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InGaAs面阵探测器

应用领域:短波红外成像、高光谱成像、夜视成像、激光探测、环保监测、工业成像、医学成像

 

 

 

Tu-Ⅰ型

Tu-Ⅱ型

Hu-Ⅰ型

性能参数

典型值

典型值

典型值

探测器

探测器类型

InGaAs

InGaAs

InGaAs

探测器规模

320×256

320×256

640×512

像元尺寸

30μm×30μm

30μm×30μm

25μm×25μm

像元中心距

30 µm

30 µm

25µm

光谱响应波段

0.9 ~ 1.7 μm

0.9~1.7 μm

0.9~1.7μm

峰值探测率

≥5×1012cm·Hz1/2/W

≥5×1012cm·Hz1/2/W

≥5×1012cm·Hz1/2/W

峰值量子效率

≥80%@1.55μm

≥80%@1.55μm

≥80%@1.55μm

响应非均匀性

≤2%

≤2%

≤3%

暗电流

 

≤5fA @5℃,-5mV

≤5fA @5℃,-5mV

盲元率

≤0.1%

≤0.1%

≤1%

增益

两档可调(0.7μV/e、13μV/e)

 

 

最大像元读出速率

10MHz

 

 

功耗

 

 

≤100mW

动态范围

≥60 dB

≥60 dB

≥60dB

温度传感输出

支持

 

 

封装

外形尺寸

55 mm (L)×33 mm (W)×13 mm (H)

25 mm (L)×20 mm (W)×7.2 mm (H)

55 mm (L)×33 mm (W)×13 mm (H)

封装形式

金属管壳气密封装

金属管壳气密封装

内部集成热电制冷器、金属管壳气密封装

制冷器

内部集成热电制冷器

内部集成热电制冷器

 

窗口

蓝宝石(20.0mm´13.0mm)

蓝宝石(11.1mm´9.3mm)

 

引脚数

38

38

 

工作温度

-20 ~ +60 ℃

-20 ~ +60 ℃

-20 ~ +60℃

储存温度

-40~ +70 ℃

-40~ +70 ℃

-40~ +70℃

 

图片3

Tu-Ⅰ型320×256元InGaAs面阵探测器

图片4

Tu-Ⅱ型320×256元InGaAs面阵探测器

图片5

Hu-Ⅰ型640×512元InGaAs面阵探测器

 

 

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上海济物光电技术有限公司

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