InP雪崩探测器
近红外单光子探测器
InP 基雪崩光电二极管工作偏置电压高于击穿电压时（盖格模式），单光子入射到探测器上会产生宏观电流脉冲。结合适当的脉冲检测电路，该器件可检测波长范围为 0.9μm 至 1.2μm 的单光子。
应用
- 量子光学
- 量子计算
- 激光测距
- 弱光探测
- 光谱和荧光测量
主要特点
- 专为单光子计数应用而设计
- 业界领先的 InGaAs(P)/InP 雪崩光电二极管
- 集成三级 TEC，允许-50℃，无需外部制冷
- 优化 0.9 至 1.2μm 波长
核心参数
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 参数 |
| 击穿电压 Vb Breakdown Voltage |
50 | 55/75 | 80 | 击穿电压 Vb Breakdown Voltage |
| 温度系数 Temp. dependence of Vb |
0.12 | 温度系数 Temp. dependence of Vb |
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| 探测效率 Detection Efficiency |
20 | 30 | 50 | 探测效率 Detection Efficiency |
| 暗计数率 Dark Count Rate |
1 | 5 | 30 | 暗计数率 Dark Count Rate |
| 光敏面直径 Effective Optical |
60/80/100 | 光敏面直径 Effective Optical |
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| 封装方式 Encapsulation |
TEC/TO 管壳 | 多模光纤 TO 管壳 | 封装方式 Encapsulation |
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| 型号 Model |
SGA-1064-60/-80/-100 | SGA-F-1064 | 型号 Model |
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机械规格(MECHANISM SPECIFICATIONS)
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引脚标号 |
功能描述 |
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1 |
制冷器（+） |
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2 |
空 |
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3 |
空 |
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4 |
空 |
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5 |
热敏电阻 |
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6 |
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7 |
器件（n） |
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8 |
器件（p） |
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9 |
制冷器（-） |
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备注：此表格对应的类型是单元器件 |
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产品管理(PRODUCT HANDLING)
单位：mm
雪崩光电二极管（APDs）对静电放电（ESD）很敏感，在处理这些器件是一定要注意防静电措施，在使用时最好带上静电手环等保护设备，防止器件的损坏。
